Транзистор ON Semiconductor MJ802G, NPN, 90 В, 30 А, 200 Вт, TO3 (комплект 3 шт.)

Біполярний транзистор ON Semiconductor MJ802G типу NPN у корпусі TO3. Комплект складається з 3 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: NPN, біполярний
• Максимальна напруга колектор-емітер: 90 В
• Струм колектора: 30 А
• Потужність розсіювання: 200 Вт
• Корпус: TO3 (TO204), монтаж THT
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 90 В та постійний струм колектора 30 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 25...100.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у металевому корпусі TO3 (TO204), який забезпечує механічну міцність та тепловий контакт з радіатором. Тип монтажу — вивідний (THT), що дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованої плати.

Частотні характеристики

Гранична частота переходу становить 2 МГц. Ця характеристика визначає діапазон частот, у якому транзистор може ефективно працювати як підсилювальний або ключовий елемент.