Транзистор ONSEMI MJ11016G NPN Дарлінгтона, 120 В, 30 А, 200 Вт, TO3 — набір 3 шт.

Транзистор ONSEMI MJ11016G — це біполярний транзистор типу NPN зі схемою Дарлінгтона, призначений для роботи з високими струмами та напругами. У комплекті постачається 3 одиниці компонента у корпусі TO3.

• Максимальна потужність розсіювання 200 Вт
• Напруга колектор-емітер до 120 В
• Струм колектора до 30 А
• Тип транзистора: NPN, Дарлінгтона
• Корпус TO3 для вивідного монтажу
• У комплекті 3 транзистори

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати до 200 Вт потужності.

Робота з високими параметрами

Максимально допустима напруга колектор-емітер становить 120 В, а струм колектора — 30 А.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент має корпус TO3 та призначений для вивідного монтажу (THT). У наборі 3 транзистори.