Транзистор IGBT модуль IXYS MIXA10WB1200TED, 1200 В, 12 А, корпус E2-Pack

IGBT модуль IXYS MIXA10WB1200TED призначений для потужних електронних систем, що потребують надійного керування струмом. Цей компонент поєднує в собі діод та транзистор у компактному корпусі E2-Pack, забезпечуючи стабільну роботу в складних умовах.

• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Струм колектора 12 А (імпульсний 30 А)
• Корпус E2-Pack для зручного монтажу
• Технології Sonic FRD™ та XPT™
• Застосування у фотовольтаїці та двигунах

Висока напруга та струм

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та постійний струм колектора 12 А. Це дозволяє використовувати його в системах фотовольтаїки та керування електродвигунами, де важлива стійкість до високих навантажень.

Ефективне розсіювання тепла

Завдяки технологіям Sonic FRD™ та XPT™, модуль має потужність розсіювання 60 Вт. Ефективне відведення тепла підвищує надійність системи та подовжує термін служби компонента навіть при тривалих робочих циклах.

Гнучкість монтажу та керування

Компонент має механічне кріплення типу «прикручування» та електричний монтаж Press-in PCB. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В. Таке поєднання забезпечує міцну фіксацію на платі та зручність інтеграції в різноманітні електронні пристрої.

Структура та топологія модуля

Структура напівпровідника поєднує діод та транзистор. Топологія модуля включає buck chopper, трифазні діодні та IGBT мости, а також NTC термістор. Така конфігурація робить компонент універсальним рішенням для складних електронних схем.