Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF2N02ELT1G, 20В, 2,8А, SOT23 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF2N02ELT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 20 В
• Струм стоку: 2,8 А
• Потужність розсіювання: 1,25 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 85 мОм
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Основні електричні характеристики

Компонент працює з напругою стік-витік до 20 В та витримує струм стоку 2,8 А. Максимальна потужність розсіювання становить 1,25 Вт, що визначає тепловий режим роботи.

Керування та опір каналу

Напруга затвор-витік обмежена значенням ±8 В, що вказує на допустимі межі керуючого сигналу. Опір у відкритому стані дорівнює 85 мОм, а загальний заряд затвора становить 3,5 нКл.

Тип каналу та полярність