Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF1N03LT1G, 30В, 2.1А, SOT23 (70 шт.)
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM075630
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF1N03LT1G, 30В, 2.1А, SOT23 (70 шт.)В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MGSF1N03LT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 70 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 2.1 А
- Потужність розсіювання: 0.69 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри та корпус
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, що визначає межі робочого навантаження. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 2.1 А, а потужність розсіювання обмежена значенням 0.69 Вт.
Компонент виконаний у корпусі SOT23 з типом монтажу SMD. У комплекті постачається 70 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.69 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴