Модуль напівпровідниковий IXYS MCD95-12IO8B, діодно-тиристорний, 1,2 кВ, 116 А, корпус TO240AA

Діодно-тиристорний модуль IXYS MCD95-12IO8B у корпусі TO240AA. Характеризується зворотною напругою 1,2 кВ та струмом провідження 116 А.

• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Номінальний струм провідження 116 А
• Максимальний струм у імпульсі 2,25 кА
• Корпус TO240AA з монтажем прикручуванням та конекторами FASTON
• Діодно-тиристорна структура

Електричні параметри

Модуль має максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та максимальну напругу провідження 1,28 В. Номінальний струм провідження становить 116 А, а максимальний струм провідження — 180 А.

Імпульсні характеристики

Максимальний струм у імпульсі досягає 2,25 кА. Порогове напруга замикання становить 0,85 В, а струм керування (брамки) — 150/200 мА.

Конструкція та монтаж

Модуль виконаний у корпусі TO240AA з подвійною послідовною структурою напівпровідника. Електричний монтаж здійснюється за допомогою конекторів FASTON та прикручування, механічний монтаж також прикручуванням.