Інтегральна мікросхема ONSEMI LM358DR2G, 2 канали, SO8, 1,1 МГц — набір 100 шт.

Інтегральна мікросхема ONSEMI LM358DR2G — це подвійний операційний підсилювач у корпусі SO8 для поверхневого монтажу. Виріб призначений для електронних схем, що потребують підсилення сигналу з двома незалежними каналами.

• Подвійний операційний підсилювач (2 канали)
• Корпус SO8 для поверхневого монтажу (SMT)
• Частота до 1,1 МГц
• Напруга живлення: ±1,5...16 В DC або 3...32 В DC
• Вхідна напруга незбалансованості: 9 мВ
• Набір із 100 штук

Технічні характеристики

Мікросхема має два канали підсилення та працює на частоті до 1,1 МГц. Діапазон напруг живлення становить ±1,5...16 В DC або 3...32 В DC. Вхідна напруга незбалансованості дорівнює 9 мВ, а вхідний струм незбалансованості — 150 нА.

Монтаж та експлуатація

Компонент виготовлений у корпусі SO8 і призначений для технології SMT (поверхневого монтажу). Робоча температура мікросхеми знаходиться в межах від 0 до 70 °C. Ці параметри визначають умови її використання в електронних пристроях.

Комплектація

Товар постачається набором, що містить 100 штук мікросхем.