Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2312, SOT23, 20V, 4.9A (LGE2312-LGE) — набір 200 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2312 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Корпус SOT23 забезпечує компактність, а максимальний струм 4,9 А та напруга 20 В визначають його робочі межі.

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
• Максимальний струм дрена: 4,9 А
• Корпус: SOT23 для SMD монтажу
• Опір у стані провідності: 31 мОм
• Кількість у комплекті: 200 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 20 В та витримує струм дрена 4,9 А. Опір у стані провідності становить 31 мОм, що впливає на теплові характеристики при навантаженні. Тип каналу — збагачуваний, полярність — уніполярна.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення підходить для автоматизованого виробництва друкованих плат, де важлива щільність розміщення елементів.

Комплектація

Товар поставляється набором із 200 штук. Це зручно для серійного виробництва або створення запасу компонентів для ремонтних робіт.