Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2304, 30V, 3,3A, SOT23 (LGE2304-LGE) — набір 500 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2304 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 500 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
• Струм дрена: 3,3 А
• Розсіювана потужність: 0,35 Вт
• Корпус: SOT23 для монтажу SMD
• Кількість у комплекті: 500 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та витримує струм дрена до 3,3 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,35 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у стані провідності дорівнює 75 мОм.

Керування та монтаж

Прилад має вхідну ємність, що відповідає заряду затвора 6,7 нКл, та допустиму напругу затвор-джерело ±20 В. Компонент виконаний у корпусі SOT23 для технології поверхневого монтажу (SMD), що дозволяє розміщувати його на друкованих платах без свердління отворів.

Комплектація

У пакуванні постачається 500 транзисторів LGE2304.