Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2300, 20V, 4A, SOT23 (LGE2300-LGE) — набір 500 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC LGE2300 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрена-джерела 20 В та струм дрена 4 А,.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
• Максимальний струм дрена: 4 А
• Розсіювана потужність: 1,25 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Опір у стані провідності: 32 мОм
• Заряд затвора: 11 нКл
• Кількість у комплекті: 500 шт.

Електричні характеристики

Компонент розрахований на напругу дрена-джерела 20 В та струм дрена 4 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,25 Вт, а опір у стані провідності — 32 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±12 В, а заряд затвора дорівнює 11 нКл.

Тип транзистора та канал

Це N-MOSFET транзистор з уніполярною структурою та каналом збагачення. Така конфігурація визначає принцип роботи пристрою та його поведінку в електричних колах.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23 із типом монтажу SMD. Товар постачається набором із 500 штук,