Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1, 650В, 60А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 — це напівпровідниковий прилад технології GenX4™ у корпусі TO247-3, призначений для роботи з напругою 650 В та струмом 60 А. Комплект складається з 2 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу або заміни компонентів у силових модулях.

• Технологія GenX4™ для низьких втрат
• Напруга колектор-емітер 650 В
• Струм колектора 60 А
• Розсіювана потужність 536 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Висока потужність та ефективність

Транзистор має розсіювану потужність 536 Вт, що дозволяє використовувати його в потужних інверторах та джерелах живлення без надмірного нагрівання. Завдяки технології GenX4™ та структурі Trench, XPT™, прилад демонструє низькі втрати при перемиканні. Це важливо для систем, де критична енергоефективність та стабільність роботи під навантаженням.

Швидкість перемикання

Час замикання становить 94 нс, а час розмикання — 208 нс. Такі показники забезпечують високу швидкість реакції транзистора, що є необхідним для високочастотних перетворювачів та імпульсних регуляторів. Швидке перемикання зменшує динамічні втрати та підвищує загальний ККД пристрою.

Надійність у екстремальних режимах

Максимальний імпульсний струм колектора досягає 265 А, що гарантує стійкість до короткочасних перевантажень та пускових струмів. Напруга колектор-емітер 650 В та допустима напруга затвор-емітер ±20 В відповідають стандартам промислового обладнання. Це робить транзистор придатним для роботи в складних електричних умовах.

Зручність монтажу та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з типом монтажу THT (скрізь отвори), що спрощує пайку та забезпечує надійний механічний контакт. У комплекті постачається 2 транзистори, що дозволяє одразу виконати заміну пари компонентів або зібрати мінімальну партію для прототипування.

Заряд затвора та керування для стабільної роботи транзистора IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 у силових схемах, де важлива передбачуваність перемикання та мінімальні втрати на керуванні. Заряд затвора 86 нКл визначає енергію, необхідну для перемикання приладу, і впливає на вимоги до драйвера затвора. Таке значення заряду затвора є типовим для IGBT у корпусі TO247-3 і допомагає інженеру підібрати драйвер із достатнім струмом та швидкістю. Це важливо для інверторів та джерел живлення, де нестабільне керування затвором може призвести до перегріву або некоректної роботи. У поєднанні з напругою затвор-емітер ±20 В транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 забезпечує надійне керування у промислових умовах. Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1 підходить для інженерів та техніків, які обслуговують або розробляють силову електроніку, інвертори та джерела живлення. Його характеристики забезпечують баланс між потужністю, швидкістю та надійністю у промислових застосуваннях.