Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY44N10T, 100В, 44А, TO252, набір 10 шт.
3 140 ₴
- В наявності
- Код: TM019302
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY44N10T, 100В, 44А, TO252, набір 10 шт.В наявності
3 140 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів IXYS IXTY44N10T типу N-MOSFET у корпусі TO252. Компоненти призначені для силових електронних схем із напругою до 100 В та струмом до 44 А.
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 44 А
- Розсіювана потужність: 130 Вт
- Корпус: TO252 (SMD)
- Час готовності: 60 нс
- Опір у стані провідності: 30 мОм
- Кількість у наборі: 10 шт.
Потужність та струм
Транзистори витримують напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 44 А. Максимальна розсіювана потужність становить 130 Вт.
Швидкість перемикання
Час готовності (turn-on time) дорівнює 60 нс.
Монтаж та корпус
Компоненти виконані у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).
Тип транзистора та канал
Транзистори є уніполярними з каналом збагачення (enhancement mode). Власності напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 30 мОм.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 60 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 140 ₴