Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N50D2, 500В, 1,6А, TO252 — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N50D2 — це напівпровідниковий компонент для електронних схем із напругою до 500 В. Прилад призначений для комутації струму до 1,6 А та розсіювання потужності 100 Вт у корпусі TO252.

• Напруга дрена-джерела до 500 В
• Струм дрена 1,6 А
• Потужність розсіювання 100 Вт
• Корпус TO252 для монтажу SMD
• Час готовності 400 нс
• Набір із 10 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 500 В, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах. Максимальний струм дрена становить 1,6 А, що забезпечує стабільну роботу під навантаженням. Ці параметри роблять компонент придатним для електронних схем.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання 100 Вт гарантує надійну роботу транзистора при тривалих навантаженнях. Корпус TO252 з монтажем SMD забезпечує компактне розміщення на платі та ефективний відвід тепла. Це важливо для пристроїв із обмеженим простором для охолодження.

Швидка комутація

Час готовності 400 нс дозволяє транзистору швидко перемикатися між станами відкритий/закритий. Така швидкість реакції мінімізує втрати енергії при комутації та підвищує загальний ККД пристрою. Це важливо для пристроїв, що вимагають швидкої комутації.

Зручна комплектація та монтаж

Транзистори поставляються набором із 10 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту. Така кількість дозволяє виконати кілька монтажів або мати запасні компоненти для обслуговування обладнання. Компонент має уніполярну поляризацію та збіднений канал, що визначає його електричні характеристики.