Транзистор IXYS IXTY1R6N50D2, N-MOSFET, 500 В, 1,6 А, TO252 (набір 10 шт.)

Транзистор IXYS IXTY1R6N50D2 — це польовий N-MOSFET транзистор у корпусі TO252 для поверхневого монтажу. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 1,6 А при потужності розсіювання 100 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 1,6 А
• Потужність розсіювання: 100 Вт
• Корпус: TO252 (поверхневий монтаж)
• У комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік обмежена 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 1,6 А, що визначає робочий діапазон пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) складає 2300 мОм. Час готовності транзистора — 400 нс.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO252, що передбачає поверхневий тип монтажу.

Додаткові характеристики та комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів IXYS IXTY1R6N50D2.