Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N100D2, 1 кВ, 1,6 А, 100 Вт, TO252 (5 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM074684
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N100D2, 1 кВ, 1,6 А, 100 Вт, TO252 (5 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY1R6N100D2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 1 кВ
- Струм стіка: 1,6 А
- Потужність розсіювання: 100 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Час готовності: 11 нс
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Прилад має напругу стік-витік 1 кВ та струм стіка 1,6 А. Потужність розсіювання становить 100 Вт, а опір у відкритому стані — 10 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252. Призначений для SMD-монтажу на поверхню друкованої плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 11 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴