Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY08N100D2, 1 кВ, 0,8 А, TO252 — набір 5 шт.
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM035941
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY08N100D2, 1 кВ, 0,8 А, TO252 — набір 5 шт.В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY08N100D2 — це уніполярний компонент у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD).## Комплектація
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 0,8 А
- Потужність розсіювання: 60 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 0,8 А. Потужність розсіювання становить 60 Вт, а заряд затвора — 325 нКл. Опір у стані провідності дорівнює 21 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO252, монтаж SMD. Канал транзистора є збідненим.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.8 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴