Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY01N100, 1 кВ, 0,1 А, TO252, набір 20 шт.

Набір із 20 транзисторів IXYS IXTY01N100 типу N-MOSFET у корпусі TO252. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу 1 кВ і струм 0,1 А.

• Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Максимальна напруга дрена-джерела: 1 кВ
• Струм дрена: 0,1 А
• Потужність розсіювання: 25 Вт
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Кількість у наборі: 20 шт.

Висока напруга та надійність

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 1 кВ, що дозволяє використовувати їх у високовольтних схемах. Максимальний струм дрена становить 0,1 А, а потужність розсіювання — 25 Вт. Це забезпечує стабільну роботу пристроїв у складних електричних умовах.

Зручний монтаж SMD

Компоненти виконані у корпусі TO252, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат дозволяє автоматизувати процес пайки та економити місце на друкованих платах. Транзистори мають збагачуваний канал.

Комплект для серійного виробництва

У пакуванні міститься 20 одиниць товару, що зручно для невеликих партій або прототипування. Стандартні характеристики MOSFET гарантують передбачувану поведінку у типових застосуваннях. Це рішення для інженерів, які потребують надійних компонентів із відомими параметрами. Стандартні характеристики MOSFET гарантують передбачувану поведінку у типових застосуваннях. Транзистори мають опір у стані провідності 80 Ом, що впливає на ефективність роботи у відкритому стані. Полярність транзистора — уніполярна, що відповідає класичній схемі MOSFET. Виробник IXYS забезпечує стабільність характеристик партії.