Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU4N70X2, 700В, 4А, IPAK (набір 10 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM074682
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU4N70X2, 700В, 4А, IPAK (набір 10 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU4N70X2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі IPAK для монтажу в отвори (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 700 В
- Максимальний струм стоку: 4 А (пік 8 А)
- Потужність розсіювання: 80 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 700 В. Струм стоку обмежений 4 А, а піковий струм у імпульсі може досягати 8 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 80 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі IPAK. Тип монтажу — THT (в отвори). У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 80 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 850 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | IPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴