Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT8P50, -500В, -8А, 180Вт, TO268 (набір 3 шт.)

Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT8P50 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на високу напругу до -500 В та струм до -8 А. У комплекті постачається 3 транзистори в корпусі TO268.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: -500 В
• Максимальний струм стоку: -8 А
• Потужність розсіювання: 180 Вт
• Корпус: TO268, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри та напруга затвора

Транзистор має максимальну напругу між стоком та витоком -500 В та максимальний струм стоку -8 А. Потужність розсіювання становить 180 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 1,2 Ом, а заряд затвора — 130 нКл. Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±20 В.

Корпус, монтаж та швидкодія

Прилад виконаний у корпусі TO268 для поверхневого монтажу (SMD). Час готовності (switching time) становить 400 нс. Прилад є уніполярним із каналом збагачення.

Комплектація

У наборі постачається 3 транзистори IXYS IXTT8P50.