Транзистор P-MOSFET IXYS IXTR210P10T, -100В, -195А, ISOPLUS247
3 100 ₴
- В наявності
- Код: TM019298
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTR210P10T, -100В, -195А, ISOPLUS247В наявності
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор IXYS IXTR210P10T у корпусі ISOPLUS247™ з номінальною напругою -100 В та струмом -195 А. Компонент має низький опір у стані провідності 8 мОм та виготовлений за технологією TrenchP™.
- Струм стоку -195 А
- Напруга стік-витік -100 В
- Потужність розсіювання 390 Вт
- Опір у стані провідності 8 мОм
- Корпус ISOPLUS247™ з монтажем THT
- Технологія TrenchP™
Потужність розсіювання
Транзистор здатен розсіювати потужність 390 Вт, що вказує на високу потужність розсіювання.
Час готовності
Час готовності становить 200 нс. Ця характеристика визначає швидкість перемикання транзистора.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі ISOPLUS247™ з типом монтажу THT. Це тип монтажу через отвори. Напруга затвор-витік становить ±15 В, а заряд затвора — 740 нКл. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 200 нс |
| Корпус | ISOPLUS247™ |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 100 ₴