Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ76N25T, 250В, 76А, TO3P — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ76N25T — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 250 В та струм 76 А. Товар постачається комплектом із 3 штук у корпусі TO3P для монтажу на плату.

• Струм стіка 76 А
• Напруга стік-витік 250 В
• Потужність розсіювання 460 Вт
• Опір у відкритому стані 44 мОм
• Корпус TO3P для монтажу THT
• Комплект із 3 транзисторів

Електричні параметри

Прилад має максимальну напругу стік-витік 250 В та постійний струм стіка 76 А. Потужність розсіювання становить 460 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 44 мОм, а заряд затвора — 92 нКл.

Час перемикання та монтаж

Час готовності транзистора становить 148 нс. Корпус TO3P призначений для вивідного монтажу (THT) на друковану плату. Це уніполярний прилад типу N-MOSFET з технологією trench gate power mosfet. Канал транзистора є збагачуваним. Заряд затвора становить 92 нКл, а опір у відкритому стані — 44 мОм.