Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ52N30P, 300В, 52А, TO3P — набір 3 шт.
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035940
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ52N30P, 300В, 52А, TO3P — набір 3 шт.В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ52N30P — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 300 В та струм 52 А. Прилад виготовлений за технологією Polar™ у корпусі TO3P для монтажу на плату (THT).
- Струм стіка 52 А
- Напруга стік-витік 300 В
- Розсіювана потужність 400 Вт
- Опір у відкритому стані 73 мОм
- Корпус TO3P для монтажу THT
- Набір із 3 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 300 В та витримує постійний струм стіка 52 А. Максимальна розсіювана потужність становить 400 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 73 мОм.
Технічні характеристики та монтаж
Прилад має заряд затвора 110 нКл та час готовності 250 нс, що визначає швидкодію перемикання. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Монтаж виконується методом THT (через отвори) у корпусі TO3P.
Комплектація
Товар поставляється набором із 3 транзисторів IXYS IXTQ52N30P.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 400 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 300 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 52 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 73 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 250 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO3P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴