Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ48N65X2M, 650В, 48А, TO3PF — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ48N65X2M — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель має номінальний струм стоку 48 А та напругу стік-витік 650 В.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга стік-витік: 650 В
• Номінальний струм стоку: 48 А
• Імпульсний струм стоку: 70 А
• Розсіювана потужність: 70 Вт
• Корпус: TO3PF, монтаж THT
• Комплектація: 2 шт.

Основні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 650 В та витримує імпульсний струм стоку до 70 А. Номінальний постійний струм стоку становить 48 А, а максимальна розсіювана потужність — 70 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 65 мОм.

Корпус та монтаж

Прилад виготовлений у корпусі TO3PF. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT).

Електричні характеристики затвора

Заряд затвора становить 76 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±30 В. Ці параметри визначають вимоги до керуючого сигналу для відкривання транзистора.