Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP6N50D2, 500В, 6А, TO220AB — набір 2 шт.
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM074673
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP6N50D2, 500В, 6А, TO220AB — набір 2 шт.В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP6N50D2 — це N-канальний MOSFET збідненого типу. Компонент розрахований на напругу 500 В та струм 6 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, збіднений канал
- Максимальна напруга дрен-джерело: 500 В
- Струм дрену: 6 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- У комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу «дрен-джерело» 500 В та постійний струм дрену 6 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт, а опір у відкритому стані — 0,5 Ом.
Корпус TO220AB
Компонент виконаний у корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється методом THT (through-hole technology), тобто виводи впаюються в отвори друкованої плати.
Комплектація та час готовності
У комплекті постачається 2 транзистори IXTP6N50D2. Час готовності (switching time) дорівнює 64 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 64 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴