Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP6N100D2, 1 кВ, 6 А, TO220AB — набір 2 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM074672
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP6N100D2, 1 кВ, 6 А, TO220AB — набір 2 шт.В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP6N100D2 — це N-MOSFET з каналом збідненого типу та напругою стік-виток 1 кВ. Прилад розрахований на струм 6 А та розсіювання потужності 300 Вт у корпусі TO220AB.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збідненого типу
- Напруга стік-виток: 1 кВ
- Струм стіка: 6 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Час готовності: 41 нс
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 2 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою стік-виток до 1 кВ. Максимальний струм стіка становить 6 А, а потужність розсіювання — 300 Вт. Це забезпечує стабільну роботу при значних навантаженнях.
Швидкість перемикання
Час готовності транзистора дорівнює 41 нс.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO220AB для монтажу на плату методом THT (скрізь отвори). У комплекті поставляється 2 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 41 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴