Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP60N10T, 100В, 60А, TO220AB, набір 10 шт.

Набір із 10 транзисторів IXYS IXTP60N10T типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Ці напівпровідникові компоненти призначені для силових електронних схем, де потрібна комутація струму до 60 А при напрузі 100 В.

• Набір із 10 транзисторів IXYS IXTP60N10T
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 60 А
• Розсіювана потужність: 176 Вт
• Опір у стані провідності: 18 мОм
• Час готовності: 59 нс
• Корпус TO220AB для монтажу в отвори (THT)

Потужність та струм

Транзистори витримують напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 60 А. Розсіювана потужність становить 176 Вт, що дозволяє використовувати їх у силових перетворювачах та імпульсних джерелах живлення без надмірного нагрівання.

Швидкість перемикання

Час готовності (turn-on time) становить 59 нс, що забезпечує швидке відкривання транзистора. Така характеристика важлива для високочастотних схем, де мінімізація втрат на перемикання підвищує загальний ККД пристрою.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 18 мОм. Низьке значення опору зменшує теплові втрати на компоненті при проходженні великих струмів, що спрощує систему охолодження.

Заряд та керування

Заряд затвора становить 49 нКл. Це параметр визначає швидкість заряджання та розряджання затвора, впливаючи на динамічні характеристики перемикання та вимоги до драйвера затвора.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220AB для монтажу в отвори (THT). Такий формат зручний для ручного монтажу та заміни на друкованих платах, а також дозволяє легко кріпити радіатори.

Комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів IXYS IXTP60N10T. Це зручно для серійного виробництва або створення прототипів, де потрібно кілька однакових компонентів.