Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP50N25T, 250В, 50А, TO220AB — набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP50N25T — це напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель забезпечує комутацію струму до 50 А при напрузі 250 В у корпусі TO220AB.

• Струм дрена 50 А для потужних навантажень
• Напруга дрена-джерела 250 В
• Розсіювана потужність 400 Вт
• Час готовності 166 нс
• Корпус TO220AB для монтажу THT
• Набір із 5 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 250 В та витримує постійний струм дрена 50 А. Максимальна розсіювана потужність становить 400 Вт.

Швидкість комутації

Час готовності транзистора дорівнює 166 нс, що забезпечує швидке перемикання станів.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB з виводами для монтажу на друковану плату (THT).

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом типу N (N-MOSFET) та збагачуваним каналом (wzbogacany). Опір у стані провідності становить 60 мОм, а заряд затвора — 78 нКл. Прилад належить до сімейства thrench gate power mosfet.