Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N50D2, 500В, 3А, TO220AB — набір 5 шт.
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM074670
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N50D2, 500В, 3А, TO220AB — набір 5 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP3N50D2 — це N-MOSFET з каналом збіднення, розрахований на напругу 500 В та струм 3 А. Товар постачається набором із 5 штук у корпусі TO220AB для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET з каналом збіднення
- Напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 3 А
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Корпус: TO220AB (монтаж THT)
- Час готовності: 24 нс
- Опір у стані провідності: 1,5 Ом
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм дрена 3 А. Потужність розсіювання становить 125 Вт, а опір у стані провідності — 1,5 Ом. Заряд затвора дорівнює 1,07 мкКл, що визначає швидкість перемикання.
Час перемикання та монтаж
Час готовності транзистора становить 24 нс, що забезпечує швидке відкривання та закривання каналу. Корпус TO220AB призначений для монтажу в отвори (THT).
Комплектація
У комплекті поставляється 5 транзисторів IXYS IXTP3N50D2.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 24 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴