Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N100D2, 1 кВ, 3 А, TO220AB, набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N100D2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збідненого типу, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220AB, що забезпечує зручність для прототипування та серійного монтажу.

• Набір із 5 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга дрена-джерела 1 кВ
• Струм дрена 3 А
• Потужність розсіювання 125 Вт
• Корпус TO220AB для вивідного монтажу
• Час готовності 17 нс

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 3 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних ланцюгах, де потрібна надійна ізоляція та комутація значних струмів.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 125 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Корпус TO220AB сприяє ефективному відведенню тепла на радіатор, що важливо для стабільної роботи пристрою під навантаженням.

Швидка комутація

Час готовності (готовності до роботи) становить 17 нс. Така швидкість перемикання мінімізує втрати енергії під час переходів між станами відкритого та закритого транзистора, що підвищує ККД пристрою.

Низький опір у відкритому стані та заряд затвора

Компонент призначений для вивідного монтажу (THT). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та дозволяє легко замінити елемент у разі потреби без складного обладнання для поверхневого монтажу.