Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP2R4N120P, 1,2 кВ, 2,4 А, TO220AB, комплект 3 шт.
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM074669
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP2R4N120P, 1,2 кВ, 2,4 А, TO220AB, комплект 3 шт.В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP2R4N120P — це N-канальний MOSFET типу Polar™, що є стандартним силовим MOSFET (standard power mosfet).## Корпус та монтаж
- Тип: N-MOSFET, технологія Polar™
- Напруга дрена-джерела: 1,2 кВ
- Струм дрена: 2,4 А (імпульсний 6 А)
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 3 шт.
Напруга та струм
Напруга дрена-джерела становить 1,2 кВ, постійний струм дрена — 2,4 А. Імпульсний струм дрена дорівнює 6 А, а розсіювана потужність — 125 Вт. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Опір у стані провідності
Опір у стані провідності дорівнює 7,5 Ом. Заряд затвора становить 37 нКл, а час готовності — 920 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 920 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴