Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP24N65X2, 650В, 24А, 390Вт, комплект 3 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM074668
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP24N65X2 — це силовий напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. У комплекті постачається 3 одиниці компонента в корпусі TO220AB.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 24 А
- Потужність розсіювання: 390 Вт
- Опір у стані провідності: 0,145 Ом
- Час готовності: 390 нс
- Корпус: TO220AB (монтаж THT)
- Комплектація: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 24 А. Потужність розсіювання становить 390 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,145 Ом.
Швидкість перемикання
Час готовності (готовності до роботи) транзистора становить 390 нс. Цей параметр визначає швидкість переходу приладу у робочий стан після подачі керуючого сигналу на затвор. Заряд затвора дорівнює 36 нКл.
Технологія та тип каналу## Монтаж та конструкція
Компонент виконаний у корпусі TO220AB для монтажу на плату з виводами (THT). Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±30 В.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 24 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 145 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 390 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
- Ціна: 1 930 ₴