Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP1R6N100D2, 1 кВ, 1,6 А, TO220AB — набір 5 шт.
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM074666
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP1R6N100D2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату. Він розрахований на напругу 1 кВ та струм 1,6 А, що робить його придатним для високовольтних схем.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збіднений канал
- Максимальна напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 1,6 А
- Потужність розсіювання: 100 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Час готовності: 11 нс
- Напруга затвор-джерело: ±20 В
- Опір у стані провідності: 10 Ом
Високовольтні характеристики
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 1 кВ та напругу затвор-джерело ±20 В. Це дозволяє використовувати його в ланцюгах із підвищеною напругою. Опір у стані провідності становить 10 Ом, що визначає теплові втрати при роботі.
Електричні параметри та монтаж
Прилад є уніполярним N-MOSFET із збідненим каналом. Час готовності (перемикання) становить 11 нс, що характеризує швидкодію транзистора. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), а корпус TO220AB є стандартним для цього типу транзисторів.
Комплектація
Товар постачається набором із 5 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 11 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
- Ціна: 2 230 ₴