Транзистор IXYS IXTP16N50P, N-MOSFET, 500В, 16А, PolarHT™, TO220AB, комплект 5 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM074664
Транзистор IXYS IXTP16N50P, N-MOSFET, 500В, 16А, PolarHT™, TO220AB, комплект 5 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP16N50P — це N-канальний MOSFET з технологією PolarHT™, призначений для роботи з напругою до 500 В та струмом 16 А. Товар поставляється комплектом із 5 штук у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 500 В
- Струм стоку: 16 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Технічні характеристики
Пристрій є уніполярним транзистором з каналом збагачення (enhancement mode). Максимальна напруга між витоком та стоком становить 500 В, а допустимий струм стоку — 16 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,4 Ом, а заряд затвора — 43 нКл.
Швидкість перемикання
Час готовності (readiness time) транзистора становить 400 нс. Цей параметр визначає швидкість переходу пристрою у робочий стан. Максимальна напруга затвор-виток обмежена ±30 В.
Комплектація
У комплекті знаходиться 5 транзисторів IXYS IXTP16N50P.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 400 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | PolarHT™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴