Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP160N10T, 100В, 160А, TO220AB, комплект 5 шт.
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM035938
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP160N10T, 100В, 160А, TO220AB, комплект 5 шт.В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP160N10T — це напівпровідниковий прилад з технологією Trench™, що працює при напрузі 100 В та струмі 160 А. Товар постачається комплектом із 5 штук у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET з технологією Trench™
- Напруга стік-сорс: 100 В
- Струм стіка: 160 А
- Потужність розсіювання: 430 Вт
- Опір у відкритому стані: 7 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплект: 5 штук
Основні параметри
Прилад має напругу стік-сорс 100 В та максимальний струм стіка 160 А. Потужність розсіювання становить 430 Вт, а опір у відкритому стані — 7 мОм. Заряд затвора становить 132 нКл.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220AB з виводами для встановлення на друковану плату (THT).
Електричні параметри
Напруга затвор-сорс становить ±20 В. Час готовності приладу дорівнює 60 нс. Канал транзистора — вбудований (wzbogacany).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 430 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 160 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 60 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴