Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP110N055T2, 55В, 110А, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP110N055T2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу або створення запасу компонентів.

• Струм дрена до 110 А
• Напруга дрена-джерела 55 В
• Розсіювана потужність 180 Вт
• Опір у стані провідності 6,6 мОм
• Час готовності 38 нс
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Комплект із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор здатний пропускати струм дрена до 110 А. Максимальна розсіювана потужність становить 180 Вт, що гарантує стабільну роботу під значними навантаженнями. Низький опір у стані провідності (6,6 мОм) мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента.

Швидка комутація

Час готовності транзистора дорівнює 38 нс, що забезпечує швидке перемикання станів. Це важливо для високочастотних схем, де затримки можуть впливати на ефективність роботи пристрою. Заряд затвора становить 57 нКл.

Технологія Trench Gate

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB із виводами для вивідного монтажу (THT). Такий формат дозволяє легко інтегрувати транзистор у існуючі схеми. Транзистор виготовлений за технологією trench gate power MOSFET. Це забезпечує оптимальне співвідношення між низьким опором у стані провідності та швидкістю перемикання.