Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP08N100P, 1 кВ, 0,8 А, TO220AB — набір 10 шт.
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM074663
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP08N100P, 1 кВ, 0,8 А, TO220AB — набір 10 шт.В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP08N100P — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату.## Комплектація
- Напруга стік-витік: 1 кВ
- Струм стоку: 0,8 А
- Потужність розсіювання: 42 Вт
- Опір у відкритому стані: 20 Ом
- Час готовності: 750 нс
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 1 кВ та струм стоку 0,8 А. Потужність розсіювання становить 42 Вт, а опір у відкритому стані — 20 Ом. Час готовності приладу дорівнює 750 нс.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу THT (through-hole technology) дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованої плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 42 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.8 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 750 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴