Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK120N25P, 250В, 120А, TO264 — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK120N25P — це напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, розрахований на напругу 250 В та струм 120 А. Товар поставляється комплектом із 2 штук у корпусі TO264 для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-джерело: 250 В
• Максимальний струм стоку: 120 А
• Розсіювана потужність: 700 Вт
• Опір у відкритому стані: 24 мОм
• Корпус: TO264, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Технічні параметри

Прилад працює з напругою стік-джерело 250 В та витримує напругу затвор-джерело ±20 В. Максимальний струм стоку (Drain Current) становить 120 А, а розсіювана потужність становить 700 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 24 мОм.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO264, який призначений для монтаж через отвори (THT).

Комплектація

У наборі знаходиться 2 транзистори IXYS IXTK120N25P. Заряд затвора становить 185 нКл, а час готовності — 200 нс. Прилад виготовлений за технологією Polar™ та є уніполярним.