Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH20N65X, 650В, 20А, TO247-3 — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH20N65X — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель характеризується робочою напругою 650 В та струмом стоку 20 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 20 А
• Розсіювана потужність: 320 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,21 Ом
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 3 шт.

Електричні характеристики

Транзистор має максимальну розсіювану потужність 320 Вт та опір у відкритому стані 0,21 Ом. Заряд затвора становить 35 нКл, а час готовності — 0,35 мкс.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO247-3 з монтажем THT (навісний монтаж). Технологія Ultra Junction X-Class визначає специфіку роботи напівпровідника. Полярність транзистора — уніполярна. Товар постачається у вигляді набору, що містить 3 транзистори.