Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA8N65X2, 650В, 8А, TO263 (набір 10 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM074659
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA8N65X2, 650В, 8А, TO263 (набір 10 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA8N65X2 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. У комплекті 10 одиниць у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 8 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Корпус: TO263 (SMD монтаж)
- Набір: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та струм дрена 8 А. Потужність розсіювання становить 150 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,5 Ом, а заряд затвора — 12 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO263. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Час готовності (готовність до відправлення) становить 200 нс.
Комплектація
У наборі 10 транзисторів IXYS IXTA8N65X2.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 200 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴