
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA80N075L2, 75В, 80А, TO263 — набір 2 шт.
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM019288
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA80N075L2 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в лінійних силових схемах. Модель забезпечує струм стоку 80 А при напрузі стік-витік 75 В та розсіює потужність до 357 Вт.
- Струм стоку 80 А для потужних силових схем
- Напруга стік-витік 75 В
- Розсіювана потужність 357 Вт
- Корпус TO263 із монтажем SMD
- Час готовності 160 нс
- Опір у відкритому стані 24 мОм
- Набір із 2 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор здатний пропускати струм стоку 80 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових модулях. Така характеристика важлива для пристроїв, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням без перегріву.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу. Це дозволяє компоненту витримувати високі енергетичні навантаження в промислових застосуваннях.
Швидка комутація
Час готовності транзистора дорівнює 160 нс, що забезпечує швидке перемикання станів. Низький заряд затвора 103 нК спрощує керування та знижує втрати при комутації.
Зручний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі TO263 із типом монтажу SMD, що спрощує автоматизоване виробництво плат. Низький опір у відкритому стані 24 мОм мінімізує втрати енергії на нагрівання.
Комплектація
Товар постачається набором із 2 штук, що зручно для прототипування або ремонту обладнання.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 24 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 160 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO263 |
- Ціна: 2 710 ₴
