Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA6N50D2, 500В, 6А, 300Вт, TO263 — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA6N50D2 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N, розрахований на високу напругу та струм. Компонент виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається у комплекті з двох штук.

• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 6 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Корпус TO263 для монтажу SMD
• Час готовності: 64 нс
• У комплекті 2 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 500 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 6 А, а потужність розсіювання — 300 Вт. Час готовності (switching time) складає 64 нс, що визначає швидкість перемикання приладу.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO263. Тип монтажу SMD (Surface Mount Device) передбачає встановлення безпосередньо на поверхню друкованої плати без свердління отворів.

Комплектація

У наборі постачається 2 транзистори IXYS IXTA6N50D2.