Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA4N70X2, 700В, 4А, D2PAK, набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA4N70X2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).

• Набір із 10 транзисторів IXYS IXTA4N70X2
• Максимальна напруга дрена-джерела 700 В
• Струм дрена 4 А (8 А в імпульсі)
• Розсіювана потужність 80 Вт
• Корпус D2PAK для SMD монтажу
• Опір у стані провідності 0,85 Ом

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм дрена 4 А та імпульсний струм 8 А. Максимальна розсіювана потужність становить 80 Вт, що визначає тепловий режим роботи приладу.

Напруга та опір

Максимальна напруга дрена-джерела дорівнює 700 В, а напруга затвор-джерело — ±30 В. Опір у стані провідності становить 0,85 Ом, що впливає на втрати енергії при відкритому каналі.