Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA36N30P, 300В, 36А, PolarHT™, TO263, набір 5 шт.

Набір із 5 транзисторів IXYS IXTA36N30P типу N-MOSFET із технологією PolarHT™. Компоненти призначені для роботи з напругою до 300 В та струмом до 36 А у корпусі TO263 для монтажу на поверхню (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з технологією PolarHT™
• Максимальна напруга стік-виток: 300 В
• Струм стоку: 36 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Корпус: TO263 (монтаж SMD)
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Технічні параметри та технологія

Транзистори IXYS IXTA36N30P виконані за технологією PolarHT™, що забезпечує їхні специфічні характеристики. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 300 В, а постійний струм стоку — 36 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,11 Ом, а заряд затвора — 70 нКл.

Монтаж та комплектація

Компоненти постачаються в корпусі TO263, що передбачає монтаж на поверхню друкованої плати (SMD). Час готовності транзистора становить 250 нс. У комплекті знаходиться 5 штук транзисторів. Поляризація транзисторів — уніполярна, канал збагачуваний.