Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA180N10T, 100В, 180А, TO263 — набір 3 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM074655
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA180N10T, 100В, 180А, TO263 — набір 3 шт.В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTA180N10T — це силовий N-MOSFET у корпусі TO263 для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на напругу 100 В та струм 180 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-виток: 100 В
- Струм стіка: 180 А
- Потужність розсіювання: 480 Вт
- Опір у відкритому стані: 6,4 мОм
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Час готовності: 72 нс
- Заряд затвора: 151 нКл
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-виток 100 В та максимальний струм стіка 180 А. Потужність розсіювання становить 480 Вт, а опір у відкритому стані — 6,4 мОм. Час готовності (switching time) дорівнює 72 нс, що визначає швидкість перемикання пристрою.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO263 із типом монтажу SMD. Заряд затвора становить 151 нКл.
Комплектація
Увага: товар поставляється набором із 3 штук. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення (enhancement mode). Це напівпровідниковий прилад типу trench gate power MOSFET.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 480 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 72 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴