Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA08N100D2, 1 кВ, 0,8 А, TO263 (5 шт.)

Транзистор IXYS IXTA08N100D2 — це уніполярний N-MOSFET з каналом збіднення, розрахований на напругу 1 кВ та струм 0,8 А. Компонент виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається набором із 5 штук.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збіднення
• Максимальна напруга стік-витік: 1 кВ
• Струм стоку: 0,8 А
• Потужність розсіювання: 60 Вт
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Заряд затвора: 325 нКл
• Опір у відкритому стані: 21 Ом
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 1 кВ та витримує струм стоку 0,8 А. Потужність розсіювання становить 60 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Заряд затвора дорівнює 325 нКл, а опір у відкритому стані — 21 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO263, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання дозволяє розміщувати транзистор безпосередньо на друкованій платі без свердління отворів.

Комплектація

Товар постачається як набір, що містить 5 транзисторів IXYS IXTA08N100D2.