Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA05N100HV, 1 кВ, 0,75 А, TO263HV (5 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM035931
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA05N100HV, 1 кВ, 0,75 А, TO263HV (5 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA05N100HV — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO263HV для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 0,75 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: TO263HV, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри та швидкодія
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 0,75 А. Потужність розсіювання становить 40 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 17 Ом.
Корпус та монтаж
Час готовності (готовності до роботи) транзистора становить 710 нс. Компонент виконаний у корпусі TO263HV, що передбачає монтаж технологією SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.75 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 710 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263HV |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴