Транзистор N-MOSFET IXYS IXFY8N65X2, 650В, 8А, TO252, набір 30 шт.
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM035929
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFY8N65X2, 650В, 8А, TO252, набір 30 шт.В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів IXFY8N65X2 від виробника IXYS. Це N-MOSFET транзистори з каналом збагачення, розраховані на напругу 650 В та струм 8 А. Компоненти виготовлені за технологією HiPerFET™ X2-Class у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 8 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Опір у стані провідності: 0,45 Ом
- Корпус: TO252 (SMD)
- Кількість у наборі: 30 шт.
Напруга та струм
Транзистори мають напругу дрена-джерела 650 В та максимальний струм дрена 8 А. Напруга затвор-джерело допускається в межах ±30 В.
Технологія та тип
Транзистори виготовлені за технологією HiPerFET™ X2-Class. Це N-MOSFET з каналом збагачення та уніполярною поляризацією.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 105 нс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴