Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT60N65X2HV, 650В, 60А, TO268 — набір 2 шт.
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM074646
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT60N65X2HV, 650В, 60А, TO268 — набір 2 шт.В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXFT60N65X2HV від бренду IXYS — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO268 для роботи з напругою до 650 В та струмом до 60 А. Комплект складається з 2 штук.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 60 А
- Потужність розсіювання: 780 Вт
- Опір у стані провідності: 52 мОм
- Час готовності: 180 нс
- Корпус: TO268, монтаж SMD
- Комплектація: 2 шт.
Потужність розсіювання
Прилад має потужність розсіювання 780 Вт.
Час готовності та опір
Час готовності транзистора становить 180 нс. Опір у стані провідності дорівнює 52 мОм.
Монтаж та технологія
Транзистор призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі TO268. Використовується технологія HiPerFET™ та клас X2. Напруга затвор-джерело становить ±30 В. Заряд затвора дорівнює 108 нКл. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 780 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 52 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 180 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴