Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT50N60X, 600В, 50А, TO268 — набір 2 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM074645
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT50N60X, 600В, 50А, TO268 — набір 2 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXFT50N60X від виробника IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 50 А. Компонент виконаний у корпусі TO268 для поверхневого монтажу (SMD) і має час готовності 195 нс.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 50 А
- Потужність розсіювання: 660 Вт
- Корпус: TO268, монтаж SMD
- Час готовності: 195 нс
- Опір у стані провідності: 73 мОм
- Комплектація: 2 шт.
Електричні характеристики
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 600 В та витримує струм дрена 50 А. Потужність розсіювання становить 660 Вт, а опір у стані провідності — 73 мОм. Заряд затвора дорівнює 116 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі TO268. Час готовності (turn-on time) становить 195 нс. У комплекті постачається 2 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 660 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 73 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 195 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴