
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT150N30X3HV, 300В, 150А, корпус TO268
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM074644
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXFT150N30X3HV — це силовий транзистор N-MOSFET від виробника IXYS, розроблений для роботи в схемах із напругою до 300 В та струмом до 150 А. Прилад виконаний у корпусі TO268 (SMD) та використовує технологію HiPerFET™ X3-Class.
- Струм стоку 150 А
- Напруга стік-витік 300 В
- Розсіювана потужність 890 Вт
- Опір у відкритому стані 8,3 мОм
- Корпус TO268 (SMD монтаж)
- Час готовності 167 нс
Висока струмова навантаженість
Транзистор забезпечує постійний струм стоку 150 А при напрузі стік-витік 300 В. Опір у відкритому стані становить 8,3 мОм.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 890 Вт. Висока потужність розсіювання важлива для стабільної роботи пристроїв у режимах тривалого навантаження.
Швидкість перемикання
Час готовності (turn-on time) транзистора становить 167 нс. Ця характеристика визначає швидкість переходу транзистора у відкритий стан, Заряд затвора становить 254 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 890 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 300 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 150 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 167 нс |
| Корпус | TO268 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴
